У оквиру семинара Лабораторије за физику атомских сударних процеса Института за физику, у среду, 25. септембра, у 12 часова у читаоници библиотеке „Др Драган Поповић“, Рашид Г. Назмитдинов ( Bogoliubov Laboratory of Theoretical Physics, Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Russia) ће одржати предавање:

Symmetry phenomena in finite quantum systems: periodic orbits and
quantum degeneracy

САЖЕТАК:

We discuss symmetry effects produced by interplay of regular and chaotic
dynamics of particles confined by effective potentials of various shapes
in finite quantum systems. It is demonstrated that dynamical symmetries
emerging from this interplay in classical and quantum systems are
related to existence of conserved quantities of the dynamics and
integrability. Important role of these symmetries are illustrated on a
broad class of mesoscopic systems that include octupole deformed many
body systems such as nuclei and clusters, and quantum dots in a magnetic
field (see for a review [1]).

[1] J.L. Birman, R.G. Nazmitdinov, and V.I. Yukalov, Physics Reports
526, 1 (2013)

У понедељак, 23. септембра, у 12 часова у сали „Звонко Марић“ Института за физику биће представљен нови програм подршке иновацијама „Доказ концепта“ (Proof of Concept). Програм покреће Фонд за иновациону делатност са циљем да подржи трансформацију резултата истраживања у комерцијалне или друштвено корисне производе.

Програм ће пружати финансијску и менторску подршку у анализи тржишта и тестирању идеја, а 17. септембра отворен је јавни позив преко ког истраживачи могу да пријаве своје пројекте. Позив је отворен до 18. новембра, а до тада ће Фонд за иновациону делатност организовати радионице на којима ће се заинтересовани истраживати упознати са детаљима програма.

Представљање програма „Доказ концепта“ на Институту за физику организује Иновациони центар Института који је у сталној потрази за идејама које могу бити потребне тржишту. Иновациони центар Института за физику пружа помоћ у развоју нових сервиса, производа и технологија и партнер је у развоју иновација.

Више од 80 истраживача из преко 20 земаља, ангажованих у оквиру ЦЕРН-ове колаборације ATLAS, боравиће овог септембра у Београду где се одржава међународна радионица ATLAS Standard Model Workshop. Радионица траје од 17. до 20. септембра, а свечано отварање биће одржано у Српској академије наука и уметности и затвореног је типа. Поред предавања и дискусија, биће одржане и две практичне сесије.

Организатор овог скупа је Институт за физику у Београду, а непосредну организацију води АТЛАС група Института.

Главна тема која ће окупити ове истраживача је проучавање експерименталних и теоријских изазова у мерењима параметара Стандардног модела елементарних честица са подацима до сада прикупљеним у ЦЕРН-у. Досадашњи резултати упоређиваће се са последњим теоријским предвиђањима и интерпретацијама, а биће дискутоване и оригиналне идеје за побољшање прецизности мерења као и нова мерења која се могу обавити, а која могу помоћи да се расветле механизми интеракција између фундаменталних честица од којих је саздан Универзум.

Међународна радионица ће свечано бити отворена у уторак, 17. септембра, у 9 часова у згради САНУ. Том приликом учеснике ће поздравити проф. др Владимир Поповић, државни секретар у Министарству просвете, науке и технолошког развоја, проф. др Иванка Поповић, ректорка Универзитета у Београду, затим др Александар Богојевић,  директор Института за физику у Београду, као и виши научни сарадник др Ненад Врањеш, носилац организације скупа.

Институт за физику је члан ATLAS колаборације дуже од 15 година, а предстојећа радионица је први скуп овог ранга који се организује у нашој земљи од започињања њеног пуноправног чланства у ЦЕРН-у. Претходне радионице биле су одржане у Лабораторији за физику елементарних честица у Ансију у Француској (2015), на Универзитету у Мадриду (2016), Аристотеловом универзитету у Солуну (2017) и Универзитету Краљица Мери у Лондону (2018).  

Организација радионице поверена је истраживачима Института за физику као признање за посебан допринос прецизном мерењу масе W бозона и потврда је препознатљивости београдске групе у оквиру велике колаборације АТЛАС. 

Организацију скупа подржали су Српска академија наука и уметности и Француски институт у Србији.

Прочитајте више: ATLAS Standard Model Workshop

У среду, 18. септембра, у 13 часова у библиотеци „др Драган Поповић“, др Станко Недић ће одржати семинар

Zinc oxide nanowire field effect transistors for UV photodetector and
non-volatile memory applications

САЖЕТАК:

Transistor scaling is rapidly reaching its physical limitations and
alternative device designs at the nanoscale are required for the “after
Moore” regime. In particular, zinc oxide (ZnO) nanowires (NWs) are
considered as excellent candidates for future nanoscale building blocks
with applications ranging from optoelectronics to sensing.
As-synthesized ZnO NWs are intrinsically n-type doped due to the
presence of oxygen vacancies and/or zinc interstitials [1, 2]. ZnO NWs
were reproducibly synthesized by thermal chemical vapor deposition and
electrical characteristics of different ZnO NW field effect transistor
(FET) configurations were studied. Parylene C passivated devices
exhibited low power consumption and excellent field effect mobilities up
to ~189.2 cm^2/Vs. Time-resolved drain current response to periodic
ultraviolet illumination was evaluated for conventional and surface
passivated back-gate ZnO NW FETs. The effects of surface passivation,
gate voltage bias, temperature, and ambient pressure were examined with
regard to the photosensitivity, photoconductive gain and the
photocarrier relaxation dynamics of the ZnO NW FET based photodetectors.
Non-volatile memory functionality of ZnO NW FETs has been previously
demonstrated using ferroelectric nanoparticles [3] and mobile protons in
the gate dielectric layer [4]. High performance ferroelectric
non-volatile memory devices based on top-gate ZnO NW FETs were
fabricated on glass substrates by spin coating the ZnO NW channel with a
200 nm thick poly(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE))
film acting as a top-gate dielectric [5]. Electrical conductance
modulation and memory hysteresis are achieved by a gate electric field
induced reversible electrical polarization switching of the
ferroelectric thin film. Remarkably, the device exhibited a large memory
window of ~16.5 V, a high drain current on/off ratio of ~10^5, a gate
leakage current below ~300 pA, and excellent retention characteristics
for over 10^4 s.

[1] Chang, P.-C., and Lu, J. G., “ZnO nanowire field-effect
transistors”, IEEE Transaction on Electron Devices 55, pp. 2977-2987
(2008).
[2] Goldberger, J., Sirbuly, D. J., Law, M., and Yang, P., “ZnO nanowire
transistors”, J. Phys. Chem. Lett. B 109, pp. 9-14 (2005).
[3] Sohn, J. I., Choi, S. S., Morris, S., Bendall, J. S., Coles, H. J.,
Hong, W.-K., Jo, G., Lee, T., and Welland, M. E., “Novel nonvolatile
memory with multibit storage based on a ZnO nanowire transistor”, Nano
Lett. 10, pp. 4316-4320 (2010).
[4] Yoon, J., Hong, W.-K., Jo, M., Jo, G., Choe, M., Park, W., Sohn, J.
I., Nedic, S., Hwang, H., Welland, M. E., and Lee, T., “Nonvolatile
memory functionality of ZnO nanowire transistors controlled by mobile
protons”, ACS Nano 5, pp. 558-564 (2011).
[5] Nedic, S., Chun, Y. T., Hong, W.-K., Chu, D., and Welland, M. E.,
“High performance non-volatile ferroelectric copolymer memory based on a
ZnO nanowire transistor fabricated on a transparent substrate”, Appl.
Phys. Lett. 104, 033101 (2014).[:en]You are cordially invited to attend a seminar which will be held on
Wednesday, 18 September 2019 at 13:00 (c.t.) in the library reading room
„Dr. Dragan Popovic“ of the Institute of Physics Belgrade. The talk
entitled:

Zinc oxide nanowire field effect transistors for UV photodetector and
non-volatile memory applications

Abstract of the talk:

Transistor scaling is rapidly reaching its physical limitations and
alternative device designs at the nanoscale are required for the “after
Moore” regime. In particular, zinc oxide (ZnO) nanowires (NWs) are
considered as excellent candidates for future nanoscale building blocks
with applications ranging from optoelectronics to sensing.
As-synthesized ZnO NWs are intrinsically n-type doped due to the
presence of oxygen vacancies and/or zinc interstitials [1, 2]. ZnO NWs
were reproducibly synthesized by thermal chemical vapor deposition and
electrical characteristics of different ZnO NW field effect transistor
(FET) configurations were studied. Parylene C passivated devices
exhibited low power consumption and excellent field effect mobilities up
to ~189.2 cm^2/Vs. Time-resolved drain current response to periodic
ultraviolet illumination was evaluated for conventional and surface
passivated back-gate ZnO NW FETs. The effects of surface passivation,
gate voltage bias, temperature, and ambient pressure were examined with
regard to the photosensitivity, photoconductive gain and the
photocarrier relaxation dynamics of the ZnO NW FET based photodetectors.
Non-volatile memory functionality of ZnO NW FETs has been previously
demonstrated using ferroelectric nanoparticles [3] and mobile protons in
the gate dielectric layer [4]. High performance ferroelectric
non-volatile memory devices based on top-gate ZnO NW FETs were
fabricated on glass substrates by spin coating the ZnO NW channel with a
200 nm thick poly(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE))
film acting as a top-gate dielectric [5]. Electrical conductance
modulation and memory hysteresis are achieved by a gate electric field
induced reversible electrical polarization switching of the
ferroelectric thin film. Remarkably, the device exhibited a large memory
window of ~16.5 V, a high drain current on/off ratio of ~10^5, a gate
leakage current below ~300 pA, and excellent retention characteristics
for over 10^4 s.

[1] Chang, P.-C., and Lu, J. G., “ZnO nanowire field-effect
transistors”, IEEE Transaction on Electron Devices 55, pp. 2977-2987
(2008).
[2] Goldberger, J., Sirbuly, D. J., Law, M., and Yang, P., “ZnO nanowire
transistors”, J. Phys. Chem. Lett. B 109, pp. 9-14 (2005).
[3] Sohn, J. I., Choi, S. S., Morris, S., Bendall, J. S., Coles, H. J.,
Hong, W.-K., Jo, G., Lee, T., and Welland, M. E., “Novel nonvolatile
memory with multibit storage based on a ZnO nanowire transistor”, Nano
Lett. 10, pp. 4316-4320 (2010).
[4] Yoon, J., Hong, W.-K., Jo, M., Jo, G., Choe, M., Park, W., Sohn, J.
I., Nedic, S., Hwang, H., Welland, M. E., and Lee, T., “Nonvolatile
memory functionality of ZnO nanowire transistors controlled by mobile
protons”, ACS Nano 5, pp. 558-564 (2011).
[5] Nedic, S., Chun, Y. T., Hong, W.-K., Chu, D., and Welland, M. E.,
“High performance non-volatile ferroelectric copolymer memory based on a
ZnO nanowire transistor fabricated on a transparent substrate”, Appl.
Phys. Lett. 104, 033101 (2014).

У оквиру СЦЛ семинара Центра за изучавање комплексних система, у четвртак, 12. септембра 2019. у 14 часова у читаоници библиотеле „Др Драган Поповић“, др Јован Одавић (Institute for Theory of Statistical Physics, RWTH Aachen University; Peter-Grünberg Institute and Institute for Advanced Simulation, Forschungszentrum Jülich, Germany) ће одржати предавање:

Density oscillations of one-dimensional correlated electron systems from DFT

САЖЕТАК:

Gapless quasi-one-dimensional systems are not described by the Fermi liquid theory, as is the case with interacting systems in higher dimensions, but rather by another unique framework, the Luttinger liquid theory. In this talk we will focus on strongly correlated one-dimensional Luttinger liquid physics [1]. In particular, we will try to bridge the gap between what is known from field theoretical methods, such as bosonization, and the real physical systems that are fabricated in the laboratory. Beyond weak interactions this gap is wider than most theorist imagine and experimentalist would like. By starting from microscopic models, we will investigate whether methods such as the Kohn-Sham Density Functional Theory (KS DFT), in conjunction with the Local Density Approximation (LDA) for the exchange-correlation potential, can provide a correct description of the underlying Luttinger liquid low-energy fixed point.

Basic theorems of KS DFT guarantee that the KS ground state charge density matches the density of the fully interacting many-body system if the exchange-correlation potential is exact. Therefore, we focus exclusively on the oscillations, known as Friedel oscillations, that occur in the density in presence of a boundary (or an infinitely strong impurity). The power-law decay of the Friedel oscillations, away from the boundary and into the bulk, represents one of the hallmarks of the Luttinger liquid paradigm. We will use the Hartree-Fock approximation to investigate this decay and propose a method to compute the density based on the Matsubara Green’s functions. We will also clarify the limitations of LDA in describing Luttinger liquids.

[1] J. Odavić, N. Helbig, and V. Meden, arXiv:1906.07066 (2019).